只读型存储器（ROM）是存储器中构造最简略的一种，它存储的信息是固定不变的。作业时，只能读出信息，不能随时写入信息，所以称为只读存储器。只读存储器常用于存储数字体系及核算机中不需改写的数据，如数据改换表及核算机操作体系程序等。ROM存储的数据不会因断电而不见，即具有非易失性。

ROM通常需求由专用设备写入数据。按数据写入办法特征纷歧样，ROM可分为以下几种。

（1）固定ROM。也称掩膜ROM，这种ROM在制作时，厂家运用掩膜技能直接把数据写入存储器中，ROM制成后，其存储的数据也就固定不变了，用户对这类芯片无法进行任何批改。

（2）一次性可编程ROM(PROM)。PROM在出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可依据自个的需求，运用编程器将某些单元改为0（或）1。PROM一旦进行了编程，就不能再批改了。

（3）光可擦出可编程ROM(EPROM)。EPROM是选用浮栅技能发作的可编程存储器，它的存储单元可多选用N沟道叠栅MOS管，信息的存储是经过MOS管上的电荷散布来抉择的，编程进程即是一个电荷写入的进程。编程完毕后，虽然撤出了电源，可是，因为绝缘层的围住，写入到浮栅上的电荷无法走漏，因而电荷散布坚持不变，EPROM也就变成非易失性存储器材了。

当外部动力（如紫外线光源）加到EPROM上时，EPROM内部的电荷散布才会被损坏，此刻集结在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照耀下构成光电流被走漏掉，使电路康复到初始状况，然后擦出了悉数写入的信息。这么EPROM又能够写入新的信息。

（4）电可擦除可编程ROM(E2PROM)。E2PROM也是选用浮栅技能出产的可编程ROM,可是构成其存储单元的是地道MOS管，地道MOS管也是运用浮栅是不是存有电荷来存储二值数据的，纷歧样的是地道MOS管是用电擦除的，而且擦除的速度要快得多（通常为ms数量级）。

E2PROM的电擦除进程即是改写进程。它具有ROM的非易失性，又具有相似RAM的功用，能够随时改写（可重复擦写1万次以上）。如今大大都E2PROM芯片内部都备有升压电路。因而，只需供给单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字体系的方案和在线调试供给了极粪便当。

（5）快闪存储器（flash memory）。快闪存储器的存储单元也是选用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入时分隔进行的，数据写入办法与EPROM一样，需求输入一个较高的电压，因而要为芯片供给两组电源。一个字的写入时刻约为200μs，通常一只芯片能够擦除/写入100万次以上。

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