用引流矩阵寻址方式光学二极管列阵完成的CMOS光学镜头(CIS)解决方法能够灵活运用高宽比發展的半导体材料生产制造基本所产生的规模效应。集成ic领域已经向更细致的亚小型连接点蓬勃发展，再再加上大量根据每清晰度的作用，这种都是持续促进CIS解决方法技术领先正电荷藕合元器件(CCD)的脚步。

实际上，CIS技术性还可以将显像、按时和读取作用全都集成化在同一元器件上。这就促使适用的上面系统软件解决方法在以表明为核心的使用中占有更加关键的影响力。尽管这2种技术性的噪音级具备对比性，但CIS技术性的饱和状态工作能力比CCD技术性高得多。

近期CMOS解决技术性的发展，尤其是暗电流量的合理清除，促进了CIS技术性的发展趋势。暗电流是在沒有阳光照射的情形下由光电二极管造成的。这类有毒的电流量是由空气中的挥发物有机物(VOC)转化成的，也被称作“光化学污染”。VOC会对CIS光电二极管列阵的实力造成不良影响，进而将附加的光量子总流量转化成高像素彩色图像。

为了更好地防止暗电流减少图象品质，Dongbu企业的一个精英团队在CMOS光感应层做好了一个三管齐下的对策。最先在浅管沟防护(STI)和光电二极管的相接处搭建P 区，清除因为非一致性硅插口而致使的暗电流(图1)。随后再根据　掩膜光伏电池来产生一个维护电级，进而完成达到1000万象素的匀称颜色(图2)。最终根据引入歪斜正离子来去除“显像落后”状况(图3)。

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