运用电子（或其它带电粒子）在磁场中偏转的特性，能够测定出它们的电荷与质量之比，即所谓荷质比。
（1）汤姆孙测电子的何质比的办法:
如图，玻璃管内抽成真空，阳极A与阴极K之间坚持数千伏特的电压，靠管内残存气体的离子在阴极致使的二次发射发作电子流。阳极A和第二个金属屏A'的基地各有一个小孔，在K、A之间被加立刻的电子流，只需很窄一束能
　　　　　　　　　　
够经过这个孔。假定没有玻璃管中部的那些设备，狭隘的电子束依托惯性跋涉，直射在玻璃管另一端的荧光屏S的基地，构成一个光点O。 C、D为电容器的南北极板，在它们基地可发作一个竖直方向的电场。在圆形区域里，可由管外的电磁铁发作一方向笔直纸面的磁场。恰当调度电场与磁场的强度，可使它们效果在电子上的力抵达平衡即 eE=evB,或v=E/B。 由E和B的数值能够测出电子流的速度v。再将电场堵截，电子束在磁场区内将沿圆弧运动，R=mv/qB，因此电子的何质比为 ，半径R能够直接从仪器上来断定。
（2）磁调集法: 　　　　　　　　　　
如图，用磁调集法测荷质比设备的一种。真空玻璃管中装有热阴极K和有小孔的阳极A，在A、K之间加电压ΔU时，由阳极小孔射出的电子的动能为 ，然后其速率为 。在电容器C上加一不大的横向交变电场，使不相一同刻经过
　　　　　　　
这儿的电子发作纷歧样程度的偏转。在电容器C和荧光屏S之间加一均匀纵向磁场，如上所述，电子从C出来后将沿螺旋线运动，到 的本地调集。恰当的调度B的巨细，可使电子流的焦点刚好落在荧光屏S上。这时，h就等于C到S间的间隔l，所以从上述h与v的表达式中消去v即得 ，上式右端各量都能够测出，由此即可断定e/m。

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