日本东京—东芝公司（TOKYO：6502）今日正式宣布发布选用低高宽比SO6L封裝的轨对轨輸出栅压推动光耦合器，用以同时推动中劣等输出功率绝缘层栅双极晶体三极管（IGBT）及输出功率氢氧化物半导体材料场效晶体三极管（power MOSFET）。批量生产交货即日运行。

　　最新款光耦合器包含用以推动小输出功率IGBT的“TLP5751”和用以推动中等水平输出功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，他们均采取低高宽比SO6L封裝。与选用DIP8封裝的飞利浦商品对比，新品的高宽比仅为前面一种的54%，安裝总面积仅为前面一种的43%，有利于开发设计更超薄精巧的设备。虽然高宽比较低，但新品仍然确保了8mm的击穿电压和5kV的绝缘层工作电压，适用对绝缘层规格型号规定较高的运用。

　　电气设备特点层面，最新款光耦合器有着轨对轨輸出，在满摆幅輸出情况下可根据扩张实际操作电流范畴来完成更多的高效率。新品给予1A、2.5A和4A三种輸出电流量，以达到普遍的用户需求。新品还内嵌飞利浦独创性的大功率红外线LED，适用各种运用，包含必须高宽比耐热性的运用，比如工厂自动化、家庭用光学供电系统、智能化电器产品和ups电源（UPS）。

　　新品关键规格型号

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