飞兆半导体推出FOD8318智能栅极驱动光电耦合器
针对现阶段的高功耗工业生产运用,设计方案工作人员传统式上对IGBT控制器应用分立器件,造成 总体设计方案多元性和系統成本费进一步提高。 为了更好地协助设计方案工作人员摆脱这一缺陷,飞兆半导体材料(NYSE编码: FCS)发布了具备数字功放斯泰格箝位作用的FOD8318智能化栅压推动光耦合器。 该元器件是一个优秀2.5A的输入输出电流量IGBT推动光耦合器,可推动绝大多数1200V/150A IGBT。
FOD8318它包括选用低RDS(ON) CMOS晶体三极管以开展IGBT轨到轨推动的集成化栅压推动光耦合器,及其用以常见故障检验的集成化快速防护意见反馈。 它给予数字功放斯泰格箝位作用,可在高dv/dt情况期内关闭IGBT,而不用负电源电压。 那样能够优化设计方案,提升稳定性。 除此之外,FOD8318还给予避免出现常见故障情况所需要的重要维护作用,这种情况会造成 IGBT的毁灭性热无法控制。
此元器件尤其合适推动快速开关输出功率IGBT和MOSFET,适用直流伺服电机、工业生产转化器、太阳能发电开关电源反相器、ups电源 (UPS)、 电磁感应加热和分隔式IGBT控制器等运用。
关键作用:
数字功放斯泰格箝位作用可清除负电源电压
内嵌 IGBT 维护作用
去饱和状态检验
IGBT软断掉
对于IGBT开展提升的欠压保护锁闭(UVLO)
CMR特有的调节剂噪特性: 35kV/µsec @Vcm-1500Vpeak
3.3V/5V,CMOS/TTL逻辑性键入
轨至轨大幅面输出电压范畴,以完成功耗低
安全性和政策法规验证
UL1577,4,243VRMS 不断1分钟。
DIN-EN/IEC60747-5-5,1,414V最高值工作标准电压,8,000V最高值暂态额定值防护
工作电压
FOD8318是飞兆全方位的性能卓越光耦合器、 电池管理IC、高电压栅压控制器、公司分立输出功率IGBT/MOSFET产品组合策略的一部分,根据该类解决方法,顾客可以执行设计方案自主创新。 FOD8318选用特有 Optoplanar®共面封裝技术性,具备调节剂绕度。 Optoplanar技术保证 了0.4mm左右的安全性防护薄厚、8mm爬电和空隙间距,进而得到了根据UL1577和DIN EN/IEC60747-5-5规范验证的靠谱髙压防护。