MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用

2022-01-19 15:52分类：电子元器件阅读：

1.MOS管推动基本和時间功耗计算
2.MOS管推动传送数据光耦电路剖析和运用
3.MOS管推动变电器防护电路分析和运用
4.MOS管在网上收集到的电路学习和剖析
今日主要是剖析MOS管推动变电器防护电路分析和运用和MOS管推动基本和時间功耗计算。

参照原材料：
《Design And ApplicaTIon Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits》是一份非常好的原材料
《MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计》还可以参考。

最先谈一下变电器防护的MOS管控制器：
假如推动髙压MOS管，大家必须选用变电器推动的方法和集合的高边电源开关。
这两个解决方法都是有自身的优势与劣势，合适不一样的运用。
集成化高边控制器计划方案很便捷，优势是线路板总面积较小，缺陷是有较大的导通与关闭延迟时间。
变电器藕合解决方法的特点是延迟时间极低，能够在很高的压力差下工作中。常它须要大量，缺陷是须要许多的元器件而且对电力变压器的运作有非常深层次的了解。

变电器疑难问题和与MOS管推动有关的难题：
变电器有两个绕阻，初中级线圈和次级绕组完成了防护，初中级和次级线圈的线圈匝数比转变完成了工作电压放缩，针对大家的设计方案一般不太必须调节工作电压，防护则是大家最看重的。

理想化状况下，变电器不是存储动能的（反激“变电器”实际上是藕合电感器）。但是事实上变电器或是存储了小量动能在电磁线圈和磁心的磁密产生的电磁场地区，这类动能主要表现为漏感和被磁化电感器。针对输出功率变电器而言，降低漏感能够降低热量耗损，以提高工作效率。MOS管控制器变电器的平均功率不大，可是在启用和关掉的情况下传送了很高的电流量，为了更好地降低延迟时间维持漏感较低依然是必需的。
法拉第定律要求，变电器线圈的平均功率务必为零。即便是不大的交流电份量很有可能会磁损，最后造成磁心饱和状态。这条标准针对单端数据信号调节的变电器耦合电路的制定拥有重要危害。

磁心饱和状态限定了大家绕阻的伏分秒。大家设计方案变电器务必考虑到最坏状况和瞬间的最高的伏分秒。（在运转情况下，最坏状况和瞬间的，较大pwm占空比和较大工作电压键入与此同时产生的状况），唯一大家明确的是变电器有一个平稳的电源电压。
针对单端运用的输出功率变电器而言，非常大一部分电源开关周期时间必须保存来确保磁心的恰当校准（正激SPWM）。校准時间尺寸限定电源电路运作的pwm占空比。但是因为选用沟通交流藕合完成了双重被磁化，即便针对单端MOS管推动变电器也不是难题。

单端变电器藕合MOS管光耦电路

隔直电容器务必在源边电源电路，具有的效果是给予重新启动工作电压，要是没有该电容器，变电器的被磁化工作电压和pwm占空比有关，变电器带磁很有可能饱和状态。

二端变电器藕合MOS管光耦电路