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MOS管反峰及RCD吸收回路

2022-01-21 15:22分类:电子元器件 阅读:

 

针对一位开关电源电路技术工程师而言,在一对或多对互相敌对的标准眼前进行挑选,那就是经常有的事。而咱们现在谈论的这一话题讨论便是一对互相敌对的标准。(即要限定主MOS管较大反峰,又要RCD消化吸收控制回路功能损耗最少)

  在探讨前咱们先做好多个假定:

  ① 开关电源电路的频率范畴:20~200KHZ;

  ② RCD中的二极管正指导通時间很短(一般为几十纳秒);

  ③ 在调节RCD控制回路前主变压器和MOS管,输出线路的主要参数早已充分明确。

  拥有上面好多个假定大家就可以先开展测算:

  一﹑最先对MOS管的VD开展按段:

  ⅰ ,键入的交流电压VDC;

  ⅱ ,次级线圈反射面初中级的VOR;

  ⅲ ,主MOS管VD容量VDS;

  ⅳ ,RCD消化吸收合理工作电压VRCD1。

  二﹑针对之上主MOS管VD的几部份开展测算:

  ⅰ ,键入的交流电压VDC。

  在预估VDC时,是依最大键入工作电压值为标准。如宽工作电压应挑选AC265V,即DC375V。

  VDC=VAC *√2

  ⅱ ,次级线圈反射面初中级的VOR。

  VOR是依在次级线圈輸出最大工作电压,整流器二极管压降较大时测算的,如输出电压为:5.0V±5%(依Vo =5.25V测算),二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的材料中搜索额定电压下VF值).

  VOR=(VF  Vo)*Np/Ns

  ⅲ ,主MOS管VD的容量VDS.

  VDS是依MOS管VD的10%为极小值.如KA05H0165R的VD=650应挑选DC65V.

  VDC=VD* 10%

  ⅳ ,RCD消化吸收VRCD.

  MOS管的VD减掉ⅰ ,ⅲ 三项就剩余VRCD的最高值。具体选择的VRCD应是最高值的90%(这儿主要是充分考虑开关电源电路每个元器件的分散性,溫度飘移和時间改变等要素得危害)。

  VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%

  留意:① VRCD是测算出标准偏差,再根据试验开展调节,促使具体值与标准偏差相符合.

  ② VRCD务必超过VOR的1.3倍.(假如低于1.3倍,则主MOS管的VD值挑选就太低了)

  ③ MOS管VD理应低于VDC的2倍.(假如超过2倍,则主MOS管的VD值就过变大)

  ④ 假如VRCD的平均误差低于VOR的1.2倍,那麼RCD消化吸收控制回路就危害电源效率。

  ⑤ VRCD是由VRCD1和VOR构成的

  ⅴ,RC稳态值τ明确.

  τ是依开关电源电路输出功率而定的,一般挑选10~20个开关电源电路周期时间。

  三﹑实验调节VRCD值

  最先假定一个RC主要参数,R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再发售电,应遵循先低电压后髙压,再由负载到轻载的标准。在测试时理应严实凝视RC元器件上的电流值,尽量使VRCD低于测算值。如发觉抵达测算值,就应该马上关闭电源,待将R值减少后,反复之上实验。(RC元器件上的电流值是用数字示波器观查的,数字示波器的地收到键入电解电容器“+”极的RC一点上,测试用例收到RC另一点上)。一个适合的RC值理应在最大键入工作电压,最重要的开关电源负荷下,VRCD的测试值相当于基础理论测算值。

  四﹑实验中需要注意的状况

  键入电力网工作电压越低VRCD就越高,负荷越重VRCD也越高。那麼在最少键入工作电压,重负荷时VRCD的测试值假如超过之上基础理论计算出来的VRCD值,是不是和(三)的信息相分歧哪?一点也不分歧,标准偏差是在最大键入工作电压时的数值,而现在是低键入工作电压。重负荷就是指开关电源电路很有可能实现的最高负荷。主要是根据实验测得开关电源电路的極限输出功率。

  五﹑RCD消化吸收线路中R值的输出功率挑选

  R的输出功率挑选是依评测VRCD的最高值,测算而得。具体选用的效率应超过测算输出功率的二倍。

  编后语:RCD消化吸收线路中的R值假如过小,便会减少电源开关电源的效率。殊不知,假如R值假如过大,MOS管就具有着被穿透的风险。

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