场效晶体三极管（Field Effect Transistor简称（FET））通称场效管。关键有这两种种类（juncTIon FET—JFET）和金属材料 - 金属氧化物半导体材料场效管（metal-oxide semiconductor FET，通称MOS-FET）。由大部分自由电子参加导电性，也称之为单级型晶体三极管。它归属于工作电压操纵型半导体元器件。具备输入电阻高（107～1015Ω）、噪音小、功能损耗低、采样率大、便于集成化、沒有二次穿透状况、安全工作地区宽等优势，已经变成 双极型晶体三极管和输出功率二极管的强劲竞争对手。

　　场效管（FET）是运用操纵键入控制回路的电磁场效用来调节輸出控制回路电流量的一种半导体元器件，并由此取名。

　　场效管电路图符号

　　说到场效管的相貌也许我便无需3d贴图了，在原理图中它常见

　　表明，有关它的构造原理因为较为抽象性，我们都是通俗性讲它的应用，因此 没去多讲，因为依据采用的场所规定不一样做出來的品种多种多样，特点也都各有不同;我们在mpn中较常用的一般是做为开关电源供电系统的电机控制之电源开关应用，因此必须根据电流量非常大，因此是应用的较为独特的一种生产制造方式 做出来加强型 的场效管（MOS型），它的电路图符号：

　　细心看一下你能发觉，这两个图好像有区别，正确了，这其实是这两种不一样的加强型场效管，第一个那一个叫N断面加强型场效管，第二个那一个叫P断面加强型场效管，他们的的功能是正好反过来的。前边说过，场效管是用电量操纵的电源开关，那麼大家就先讲一下如何使用它来当电源开关的，从图上我们可以看见它也像三极管一样有三个脚，这三个脚各自称为栅压（G）、源极（S）和漏极（D），mpn中的贴片式元器件平面图是这种模样：

　　1脚便是栅压，这一栅压便是操纵极，在栅压再加上工作电压和不再加上工作电压来操纵2脚和3脚的连通与不互通，N断面的，在栅压再加上工作电压2脚和3脚就插电了，除掉工作电压就关闭了，而P断面的恰好反过来，在栅压再加上工作电压就关闭（高电位），除掉工作电压（低电位差）就互通了！

　　结型场效管的构造和符号

　　结型场效管是运用半导体材料内的电磁场效用工作中的，分N断面和P断面二种。在一块N型半导体的两边各自蔓延出2个P型区，产生2个PN结，将2个P型区联接后产生一个电级G称之为栅压，从N型半导体的前后两边各引出来一个电级，在其中S称之为源极，D称之为漏极，因为D、S间存有电流量安全通道，故称之为N断面结型场效管。P断面结型场效管的结构特征与N断面型相近，他们的构造和电路符号如下图所示。

　　绝缘层栅型场效管构造和符号

　　绝缘层栅型场效管是一种运用半导体材料表层的电磁场效用，由磁感应正电荷的是多少更改导电性断面来操纵漏极电流量的元器件，它的栅压与半导体材料中间是绝缘层的，其电阻器超过1000000000Ω。

　　加强型：VGS=0时，漏源中间沒有导电性断面，在VDS功效下无iD。耗光型：VGS=0时，漏源中间有导电性断面，在VDS功效下iD。

　　1. 构造和符号（以N断面加强型为例子）

　　在一块浓度值较低的P型硅上蔓延2个浓度值较高的N型区做为漏极和源极，半导体材料表层遮盖二氧化硅电缆护套并引出来一个电级做为栅压。

　　N断面绝缘层栅型场效管构造动漫

　　别的MOS管标记

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