塑料薄膜高端芯片崭露光芒

　　现阶段，LED芯片技术性的发展壮大重点在于底材原材料和圆晶生长发育技术性。底材原材料除开传统式的蓝色宝石原材料、硅(Si)、碳碳复合材料(SiC)之外，活性氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是目前科学研究的聚焦点。不论是关键照明灯具和总体照明灯具的功率大的集成ic，或是用以装饰设计照明灯具和一些简单辅助照明灯具的小输出功率集成ic，技术性提高的重要均紧紧围绕怎样产品研发出更效率高、更平稳的集成ic。因而，提升LED芯片的高效率变成 提高LED照明总体性能指标的重要。在短短的数载内，依靠集成ic构造、表层钝化处理、多量子阱总体设计等一系列技术性的改善，LED在发亮高效率发生重大进展，LED芯片构造的发展趋势如图所示1所显示。坚信伴随着该工艺的持续完善，LED量子效率可能获得进一步的提升 ，LED芯片的发亮高效率也会随着飙升。

　　图1　LED芯片构造的发展史

　　塑料薄膜高端芯片(Thinfilm)是生产制造超高亮LED芯片的核心技术，能够降低侧面的出光损害，根据底端垂直面能够促使超出97%的光从正脸輸出(图2)，不但进一步提高LED发亮高效率，也简单镜片的设计方案。

　　图2　一般LED和薄技技术性LED的正脸出光率较为

　　三大封裝技术性详细介绍

　　大功率LED封裝技术性可区别为单珠集成ic、多集成ic融合及集成ic板上封裝三大类，下列将开展表明。

　　发亮高效率、排热、稳定性为单珠集成电路芯片优点

　　单珠集成电路芯片是封裝工艺中使用较多的，其具体的工艺难题取决于集成ic的合格率、led色温的操控及夜光粉的涂覆技术性，而欧司朗光学半导体材料的Golden DRAGON Plus LED，选用硅橡胶封裝，其封裝外观及內部简略构造如图所示3所显示。该LED具备170度的光束角，能满意地相互配合二次光学镜片或反光杯，其硅橡胶镜片拥有耐热及低衰减系数的特点。与众不同的封裝设计方案进一步提高LED的导热特性，使设备的传热系数操纵在每瓦6.5℃上下，有利于减少传热系数。此外，夜光粉的特殊配置使LED的led色温遮盖冷白、中性化白晴和白范畴。单集成电路芯片的优点取决于特效高、便于排热、易配光及稳定性。

　　图3　欧司朗光学半导体材料Golden DRAGON Plus LED的封裝外观及内部构造

　　多集成ic融合封裝于小容积内可以达到高流明值

　　多集成ic融合部件是现阶段功率大的LED部件最普遍的另一种封装类型，可区别为小输出功率和功率大的集成ic融合部件两大类，前面一种以六颗低输出功率集成ic融合的1瓦功率大的LED部件最典型性，该类部件的优点取决于费用较低，是现在许多功率大的部件的关键制做方式。功率大的集成ic融合以OSTAR SMT系列产品为意味着，其封裝外观如图所示4所显示，根据可靠性设计，可使最后商品的传热系数操纵在每瓦3.1℃，与此同时能够推动达到15瓦的大功率。该封裝的优点取决于在较小的区域内做到很高的流明值。

　　图4　欧司朗光学半导体材料OSTAR SMT LED的封裝外观

　　COB合理改善排热缺点

　　COB技术性沿用传统式半导体技术，即立即将LED芯片固定不动在印刷线路板(PCB)上。运用该技术性，现阶段已经有薄厚仅达0.3mm下列的LED。因为LED芯片立即与PCB板触碰，提升传热总面积，排热难题得到改进。此封装类型多以小输出功率集成ic为主导。

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