文中主要是关于13001和13003的有关详细介绍，并主要对13001和13003的引脚开展了详细的论述。

　　三极管

　　三极管，全名应是半导体材料三极管，也称双极型晶体三极管、晶体三极管，是一种操纵交流电的半导体元器件其功效是把薄弱数据信号变大成频率值过大的电子信号， 也作为无触点开关。三极管是半导体材料基础电子器件之一，具备电流量变大功效，是电子线路的主要元器件。三极管是在一块半导体材料硅片上制造2个距离非常近的PN结，2个PN结把一整块半导体材料分为三一部分，正中间部位是基区，两边部位是发射区和集电区，排序形式有PNP和NPN二种。

　　原理

　　基础理论基本原理

　　晶体三极管（下称三极管）按材质分为二种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP二种结构形式，但应用较多的是硅NPN和锗PNP二种三极管，（在其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯硅中添加磷替代一些硅原子，在工作电压刺激性下造成自由电荷导电性，而P是正极的意思（PosiTIve）是添加硼替代硅，造成很多空穴有利于导电性）。二者除开开关电源旋光性不一样外，其原理全是一致的，下边仅详细介绍NPN硅管的电流量变大基本原理。

　　针对NPN管，它是由2块N型半导体正中间夹着一块P型半导体所构成，发射区与基区中间建立的PN结称之为发射结，而集电区与基区产生的PN结称之为集电结，三条导线各自称之为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电结c （Collector）。如下图所显示

　　当b点电位差高过e点电位差零点几伏时，发射结处在正偏情况，而C点电位差高过b点电位差几伏时，集电结处在反偏情况，集电结开关电源Ec要高过基极开关电源Eb。

　　在生产制造三极管时，有目的地使发射区的大部分自由电子浓度值超过基区的，与此同时基区做得非常薄，并且，要严控残渣成分，那样，一旦接入主机电源后，因为发射结正偏，发射区的大部分自由电子（电子器件）及基区的大部分自由电子（空穴）非常容易地翻过发射结相互之间向另一方蔓延，但因前面的浓度值基超过后面一种，因此根据发射结的电流量大部分是电子流，这股电子流称之为发射极电流量子。

　　因为基区非常薄，再加上集电结的反偏，引入基区的电子器件绝大多数翻过集电结进到集电区而产生集电结电流量Ic，只剩余非常少（1-10%）的电子器件在基区的空穴开展复合型，被复合型掉的基区空穴由基极开关电源Eb再次补充，进而建立了基极电流量Ibo.依据电流量持续性基本原理得：

　　Ie=Ib Ic

　　换句话说，在基极填补一个较小的Ib，就可以在集电结上获得一个很大的Ic，这就是说白了电流量变大功效，Ic与Ib是保持一定的比率关联，即：

　　β1=Ic/Ib

　　式中：β1--称之为直流电变大倍率，

　　集电结电流量的变化量△Ic与基极电流量的变化量△Ib之之比：

　　β= △Ic/△Ib

　　式中β--称之为交流电路变大倍率，因为低頻时β1和β的标值差别并不大，因此有时候为了能便于考虑，对二者未作严苛区别，β值约为几十至一百多。

　　α1=Ic/Ie（Ic与Ie是直流电通道中的工作电流尺寸）

　　式中：α1也称之为直流电变大倍率，一般在共基极组态软件运算放大器中应用，叙述了射极电流量与集电结电流量的关联。

　　α =△Ic/△Ie

　　关系式中的α为沟通交流共基极电流量变大倍率。同样α与α1在小数据信号键入时相距也并不大。

　　针对2个叙述电流量关联的扩大倍率有下列关联

　　三极管的电流量变大功效其实是运用基极电流量的细微转变 去操纵集电结电流量的前所未有的巨大改变。 ［2］

　　三极管是一种电流量放大仪件，但在具体应用中经常根据电阻器将三极管的电流量变大功效变化为工作电压变大功效。

　　变大基本原理

　　1、发射区向基区发送电子器件

　　开关电源Ub历经电阻器Rb加进发射结上，发射结正偏，发射区的大部分自由电子（自由电荷）不断翻过发射结进到基区，产生发射极电流量Ie。与此同时基区大部分自由电子也向发射区蔓延，但因为大部分自由电子浓度值远小于发射区自由电子浓度值，可以不考虑到这一电流量，因而能够觉得发射结主要是电子流。

　　2、基区中电子器件的传播与复合型

　　电子器件进到基区后，先在挨近发射结的周边聚集，逐渐产生电子器件浓度值差，在含量差的效果下，促进电子流在基区中往集电结蔓延，被集电结静电场拉进集电区产生集电结电流量Ic。也是有不大一部分电子器件（由于基区非常薄）与基区的空穴复合型，蔓延的电子流与复合型电子流之占比确定了三极管的变大工作能力。

　　3、集电区搜集电子器件

　　因为集电结另加反方向工作电压非常大，这一反方向工作电压造成的静电力将阻拦集电区电子器件向基区蔓延，与此同时将蔓延到集电结周边的电子器件拉进集电区进而产生集电结主电流量Icn。此外集电区的极少数自由电子（空穴）也会发生飘移健身运动，流入基区产生反方向饱和电流，用Icbo来表明，其标值不大，但对溫度却出现异常比较敏感。

　　产品类别

　　a.按材料分： 硅管、锗管

　　b.按构造分： NPN 、 PNP。如下图所示。

　　c.按功用分： 开关管、整流管、达林顿管、感光管等。

　　d. 按输出功率分：小整流管、中整流管、功率大的管

　　e.按输出功率分：低頻管、高频率管、CPU超频管

　　f.按构造加工工艺分：合金钢管、平面图管

　　g.按安裝方法：软件三极管、贴片三极管

　　13001

　　三极管13001是小输出功率电子镇流器，led节能灯里常见的三极管，高频率高抗压，三极管13001关键知名品牌生产商为广州市半导体材料和国邦，最近该型号规格市场销售状况不错，店家价格活跃性。

　　主要参数：

　　编写

　　Vcbo=500V；

　　Vceo=400V；

　　Vebo=9V；

　　Icm=1.5A；

　　Pcm=900mW，能够挑选不小于之上标值的三极管替代。

　　13003

　　MJE13003三极管是主要是用以led节能灯及荧光灯管电子镇流器的高原反应压功率大的开关三极管，硅NPN型，选用TO-126封裝，MJE13003三极管的外观和引脚排序以下：

　　MJE13003三极管基本参数

　　集电结-基极工作电压VCBO 700 V

　　集电结-发射极工作电压VCEO 400 V

　　发射极-基极工作电压VEBO 9V

　　集电结电流量IC 2.0 A

　　集电结损耗输出功率PC 40 W

　　最大操作温度Tj 150 °C

　　存储溫度Tstg -65-150 °C

　　集电结-基极截至电流量ICBO （VCB=700V） 100 μA

　　集电结-发射极截至电流量ICEO （VCE=400V，IB=0） 250 μA

　　集电结-发射极工作电压VCEO （IC=10mA，IB=0） 400 V

　　发射极 -基极工作电压VEBO （IE=1mA，IC=0） 9 V

　　直流电流变大倍率5~40

　　总结

　　关于13001和13003的有关讲解就到这了，若有存在的不足热烈欢迎纠正。

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