当晶闸管承担正方向阳极氧化电流时，为使晶闸管导铜，务必使承担反方向工作电压的PN结J2丧失阻拦功效。图2中各个晶体三极管的发射极电流量与此同时便是另一个晶体三极管的基极电流量。因而，2个相互之间复合型的晶体三极管电源电路，当有充足的门吊电流量Ig注入时，便会产生明显的反馈调节，导致两晶体三极管饱和状态通断，晶体三极管饱和状态通断。

　　设PNP管和NPN管的发射极电流量相对应为Ic1和Ic2;发射极电流量相对应为Ia和Ik;电流量放大系数相对为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设穿过J2结的正相反走电电流量为Ic0,

　　晶闸管的阳极氧化电流量相当于两管的发射极电流量和泄露电流的总数：

　　Ia=Ic1 Ic2 Ic0 或Ia=a1Ia a2Ik Ic0

　　若门极电流量为Ig,则晶闸管负极电流量为Ik=Ia Ig

　　进而能够得到晶闸管阳极氧化电流量为：I=(Ic0 Iga2)/(1-(a1 a2))(1—1)式

　　硅PNP管和硅NPN管对应的电流量放大系数a1和a2精密零部件发射极电流量的变化而大幅度转变如图所示3所显示。

　　当晶闸管承担正方向阳极氧化工作电压，而门极未受工作电压的情形下，式(1—1)中，Ig=0,(a1 a2)不大，故晶闸管的阳极氧化电流量Ia≈Ic0 晶闸关处在正方向阻隔情况。当晶闸管在正方向阳极氧化工作电压下，从门极G注入电流量Ig,因为充足大的Ig流过NPN管的发射结，进而提升起始点流放大系数a2,造成非常大的极电级电流量Ic2穿过PNP管的发射结，并提升了PNP管的电流量放大系数a1,造成很大的极电级电流量Ic1流过NPN管的发射结。那样明显的稳态全过程快速开展。从图3，当a1和a2随发射极电流量提升而(a1 a2)≈1时，式(1—1)中的分母1-(a1 a2)≈0,因而提升了晶闸管的阳极氧化电流量Ia.这时候，穿过晶闸管的电流量彻底由主控制回路的工作电压和回路电阻决策。晶闸管已处在正指导通情况。

　　式(1—1)中，在晶闸管通断后，1-(a1 a2)≈0,即便 这时门极电流量Ig=0,晶闸管仍能维持原先

　　的阳极氧化电流量Ia而再次通断。晶闸管在通断后，门极已丧失功效。