IR2117是英国IR企业专为推动单独MOSFET或IGBT而制定的栅压控制器,它使用髙压集成电路芯片技术性和无闩锁CMOS技术性,并选用双直插入式封裝,可用以工作中母相电压达到600V的体系中。其填写与规范的CMOS脉冲信号兼容,輸出推动特点可达到交叉式通断時间最少的大电流量推动輸出级的制定规定。其飘浮安全通道与自举电路技术性的运用使其可同时用于推动一个工作中于母相电压达到600V的、在高边或中低端工作中的N断面MOSFET或IGBT。

1 脚位排序及作用

IR2117选用规范的调心轴承直插入式DIR-8或中小型调心轴承平扁表层安裝SOIC-8封装类型,这二种封装类型的脚位排序同样,其脚位排布如图所示1所显示,各针脚的名字、作用和使用方法如表1列出。

表1 IR2117的脚位表明

脚位号 标记 名 称 作用及使用方法 1 Vcc 键入级工作中开关电源端 供电系统开关电源,抗干扰性,该端该接一去耦互联网到地 2 IN 操纵单脉冲键入端 立即按操纵单脉冲产生线路的輸出 3 COM 键入级地端及Vcc参照地端 接供电系统开关电源Vcc地 4,5 NC 空脚 悬在空中 6 Vs 輸出级参照地端 接被推动的MOSFET源极或IGBT射极及负荷端 7 HO 推动单脉冲輸出端 根据一电阻器接被推动的MOSFET或IGBY的栅压 8 VB 輸出级工作中开关电源端（高边飘浮开关电源端） 当VB与Vcc应用外置电源时,接客户带来的开关电源,这时VB的参照地为VS而Vcc的参照地为COM。在两开关电源中间,电位差应防护。当VB与Vcc运用自举电路技术性造成时,此端各自根据一电容器及二极管接VS及Vcc

2 内部构造及原理

IR2117的构造及原理框架图如图2所显示。它在內部集成化有一个哈里斯触发器原理,一个单脉冲增益值电源电路,2个欠压保护检验及维护电源电路,一个脉冲信号挪动互联网,一个与非门,一个由2个MOSFET构成的相辅相成功放机輸出级、一个RS触发器及其一个单脉冲过滤器共九个模块电源电路。

一切正常运行时,若IR2127的逻辑性开关电源一部分及輸出开关电源一部分不欠压保护,则来源于客户操纵单脉冲产生模块的数据信号先由哈里斯触发器原理整形美容,再经单脉冲增益值阶段变大后,由脉冲信号挪动互联网开展脉冲信号挪动与配对,再经RS触发器开启后由相辅相成推挽输出级輸出推动外置的MOSFET或IGBT。一旦键入逻辑性一部分开关电源或輸出功放机级飘浮开关电源中有一个发生欠压保护,则两一部分里将有一个輸出数据信号被封禁而使輸出推动单脉冲变成低电频。

3 关键设计方案特征和主要参数

3.1 关键设计方案特性

IR2117在设计方案上很有特性,现述以下：

（1）选用飘浮安全通道设计方案,內部自举电路工作中可以用来推动从低电压到600V工作中母相电压中的MOSFET或IGBT;

（2）对负的暂态工作电压上升幅度无限制;

（3）栅压推动工作电压范畴宽达10～20V;

（4）选用CMOS哈里斯触发器原理键入及推挽电路功放机輸出方法;

（5）具备欠压保护封禁作用;

（6）輸出与键入同相。

3.2 極限主要参数

下边是IR2117的極限主要参数：

（1）高边飘浮电源电压VB：-0.3～625V;

（2）高边飘浮开关电源参照工作电压Vs：VB-25～VB 0.3V;

（3）高边飘浮输出电压VHO：Vs-0.3～VB 0.3V;

（4）逻辑性键入一部分工作中电源电压Vcc：-0.3～25V;

（5）逻辑性键入工作电压VIN：-0.3～Vcc 0.3V;

（6）容许的参照电源电压上升幅度dVs/dt：50000V/μs;

（7）功能损耗：SOIC封装的功率为0.625W;DIP封裝的功率为1W;

（8）容许最大工作中结温Tj：150℃;

（9）存储溫度Tstg：-55～150℃;

（10）电焊焊接溫度（电焊焊接時间10s）TL：300℃;

3.3 强烈推荐工作中标准

IR2117的强烈推荐工作中主要参数以下：

（1）高边飘浮电源电压平方根VB：Vs 10～Vs 20V;

（2）高边飘浮开关电源参照工作电压Vs：600V;

（3）高边飘浮输出电压VHO：Vs～VB;

（4）逻辑性电源电压Vcc：10～20V;

（5）逻辑性键入电流电压范畴VIN：0～Vcc;

（6）工作中工作温度TA：-40～125℃。

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