场效晶体三极管（Field Effect Transistor简称（FET））通称场效管，是较新式的半导体器件，运用静电场效用来操纵三极管的电流量，因此而出名。它仅有一种自由电子参加导电性的半导体元器件，是一种用键入工作电压操纵输入输出电流量的半导体元器件。从参加导电性的自由电子来区划，它有电子器件做为自由电子的N断面元器件和空穴做为自由电子的P断面元器件。从场效管的构造来区划，它有结型场效管和绝缘层栅型场效管之分。

1.结型场效管

（1） 结型场效管构造

N断面结型场效管的构造如下图所显示，它是在N型半导体单晶硅片的两边各生产制造一个PN结，产生2个PN结夹着一个N型断面的构造。2个P区即是栅压，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

结型场效管的结构示意图

（2） 结型场效管原理

以N断面为例子表明其原理。

当VGS=0时，在漏、源中间加有一定工作电压时，在漏源间将产生多子的甩尾健身运动，造成漏极电流量。当VGS《0时，PN结反偏，产生耗尽层，漏源间的断面将变小，ID将减少，VGS再次减少，断面再次变小，ID再次减少直到为0。当漏极电流量为零时所相对应的栅源工作电压VGS称之为夹断电压VGS （off）。

（3）结型场效管特点曲线图

结型场效管的性能曲线图有两根，

一是频率特性曲线图（ID=f（VDS）| VGS=变量定义），

二是迁移特点曲线图（ID=f（VGS）|VDS =变量定义）。

N断面结型场效管的性能曲线图如下图所显示。

（a） 漏极频率特性曲线图 （b） 迁移特点曲线图

N断面结型场效管的性能曲线图

2. 绝缘层栅场效三极管的原理

绝缘层栅场效三极管分成：

耗光型→N断面、P断面

加强型→N断面、P断面

（1）N断面耗光型绝缘层栅场效管构造

N断面耗光型的构造和符号如下图（a）所显示，它是在栅压下边的SiO2电缆护套中掺杂了大批量的金属材料共价键。因此当VGS=0时，这种共价键早已磁感应出反型层，产生了断面。因此，只需有漏源工作电压，就会有漏极电流量存有。当VGS》0时，将使ID进一步提升。VGS《0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS （off）表示，有时也用VP表示。

N沟道耗尽型的转移特性曲线如下图（b）所示。

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（a） 结构示意图 （b） 转移特性曲线

（2）N沟道增强型绝缘栅场效应管结构

N沟道增强型绝缘栅场效应管，结构与耗尽型类似。但当VGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若VGS》VGS （th）时，产生断面，将漏极和源极沟通交流。假如这时加上漏源工作电压，就可以产生漏极电流量ID。在VGS=0V时ID=0，仅有当VGS》VGS （th）后才会发生漏极电流量，这类MOS管称之为加强型MOS管。

VGS（th）——打开工作电压或阀工作电压;

（3）P断面加强型和耗光型MOSFET

P断面MOSFET的原理与N断面MOSFET完全一致，只不过是导电性的自由电子不一样，供电系统工作电压旋光性不一样罢了。这好似双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

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