颠覆性创新是由intel（Intel）创办人之一戈登·克分子（Gordon Moore）明确提出来的。其主要内容为：当价钱一致时，集成电路芯片上可承载的电子元件的数量，约每过18-24个月便会增加一倍，特性也将提高一倍。换句话说，每一美元能够购买到的电脑的配置，将每过18-24个月翻一倍之上。这一基本定律揭露了信息科技发展的速率。

　　虽然这类发展趋势早已连续了超出半世纪，颠覆性创新仍应当被觉得是观察或推断，而不是一个物理学或自然法。预估基本定律将连续到最少2015年或2020年。殊不知，2010年国际性半导体技术发展趋势线路图的升级提高现已变缓在2013年年末，以后的時间里晶体三极管总数相对密度预估只能每三年翻一番。

　　颠覆性创新

　　也有些人从pc机（即PC）的三大因素微控制器集成ic、半导体存储器和系统来调查颠覆性创新的准确性。

　　微控制器层面，从1979年的8086和8088，到1982年的80286，1985年的80386，1989年的80486，1993年的PenTIum，1996年的PenTIumPro，1997年的PenTIumII，作用更加强，价钱急剧下降，每一次升级换代全是颠覆性创新的同时結果。此外PC机的内存储器容积由最初的480k扩张到8M，16M，与颠覆性创新更加符合。

　　系统层面，初期的电子计算机因为存储量的限定，系统的规模化和作用遭受非常大限定，伴随着内存空间依照颠覆性创新的速率呈指数增长，系统不会再限于窄小的室内空间，其所含有的编程代码的个数也猛增：Basic的源码在1975年仅有4，000行，20年后发展趋势到大概五十万行。微软公司的文本编辑手机软件Word，1982年的第一版带有27，000行编码，20年后提升到大概200万行。有些人将其未来发展速率制作一条曲线图后发觉，手机软件的规模化和多元性的增速甚至于超出了颠覆性创新。系统的发展趋势相反又提升了对CPU和数据存储器的要求，进而影响了集成电路芯片的迅速发展趋势。

　　颠覆性创新并不是数学课、物理定律，只是对发展趋向的一种预测分析，因而，不论是它的内容描述或是定量分析测算，都理应允许一定的充裕度。从这种含义上看，克分子的推测是精准而弥足珍贵的，因此 才会获得业内人群的认可，并造成很大的反应。

　　预则颠覆性创新结束

　　不容置疑，克分子规律对整个世界实际意义长远。但是，伴随着晶体三极管电源电路慢慢贴近特性極限，这一规律可能走到最后。克分子规律什么时候无效？权威专家们对于此事各不相同。早在1995年在纽约举办信息科技国际性交流会上，美国科学家和技术工程师伊丽莎白斯旺·基尔比表明，5纳米技术CPU的发生或将结束克分子规律。科学家和将来学者周海中在本次讨论会上推测，因为纳米材料的迅速发展趋势，30年后克分子规律很可能便会无效。2012年，日裔美国国籍基础理论科学家加来道雄在接纳谋士网址访谈还称，“在十年上下的時间内，大家将见到克分子规律奔溃。”不久前，克分子自己觉得这一规律到2020年的情况下便会讳莫如深。一些权威专家强调，即便克分子规律与世长辞，信息科技前行的脚步也不会减缓。

　　颠覆性创新或在2021结束

　　50年前，intel创办人之一戈登·克分子明确提出了颠覆性创新：集成电路芯片上可承载的电晶体（晶体三极管）数量，约每过24个月便会增加一倍。近期几十年，这一基本定律称得上科技领域的法则，不论是半导体材料生产商或是ic设计商，基本上都是在依照这种规律性发展趋势。

　　可是，近期2年，以intel为代表的半导体材料生产商逐渐减慢制造的更新迭代更新之途，而我们也必须逐渐探讨颠覆性创新的推测是不是早已无效，半导体材料生产商又该怎么对待如此的挑戰？

　　从近期一期的半导体材料国际性技术路线图上能够看得出，到2021年，微控制器內部的晶体三极管的大小变小的进展并不是变缓，只是将终止变小，这也就代表着促进半导体业转型的颠覆性创新将宣布推出历史的舞台。

　　持续颠覆性创新到底有多么难？

　　事实上，以往几十年半导体业都没有和颠覆性创新彻底保持一致的节奏感。

　　从 1965 年到 1975 年，集成ic上的晶体三极管总数基本上每一年都是会增涨；殊不知在1975年以后，因为工艺的限定，周期时间变成了2年；到上世纪 90 时代末，又重回了靠谱。

　　而如今半导体材料生产商又遭遇了怎样的艰难？

　　现阶段，半导体材料生产商最领先的半导体材料制造早已做到了14nm，已经向着10nm前行，但这基本上早已无穷大光伏材料的物理学極限。有些人要说，将来还会继续有7nm和5nm，但实际上真会这般吗？

　　假如持续依照颠覆性创新来产品研发更高等级的加工工艺制造，会遭遇物理学和经济发展（投入产出率）两层面的挑戰。

　　颠覆性创新自身是一条物理定律，可是在硅晶体三极管的大小贴近10nm的情况下，栅空气氧化层的薄厚只等同于十个分子的薄厚。这便会非常容易造成量子效应，而且造成 晶体三极管的特点无法操纵，比如走电难题。对半导体材料生产商来讲，这也是一堵穿不透光的墙。

　　此外，由于晶体三极管规格的变小，芯片制造成本费在逐步提升，长期以往每粒集成ic的利润率乃至还会继续小于生产制造的成本费。很显著，将来大部分厂商会因投入产出率而挑选更具有经济收益的制造。

　　怎样解决？

　　就算半导体材料生产商没法进一步变小晶体三极管的规格，但这并不意味着半导体业从此止步不前，专业人士觉得有2种计划方案非常值得试着。

　　许多专业人士表明，尽管晶体三极管的规格没法变小，但将来可以取代它的的是根据层叠技术性来提高晶体三极管的相对密度，这一技术性完善后就可与此同时确保经济发展和技术性经济效益。

　　现阶段，那样的3D技术实际上早已在数据存储器上取得了运用，比如intel发布的3DxPoint闪存芯片技术性，它在使用寿命、储存速率及其容积相对密度上面要比传统式闪存芯片高好多个level，此外，三星和闪迪等储存生产商也早已在这里一行业发布了分别的商品。

　　此外，业内还觉得我们可以找寻光伏材料的代替品，比如运用新式纳米复合材料很有可能作出贴近分子大小的电源电路。因此，世界各国早已在开始科学研究这种新的原材料。

　　这诸多很有可能变成硅的继任当中，石墨烯材料的呼吁毫无疑问是最大的，华为任正非就曾公布表明，石墨烯材料时期颠复硅时期。

　　石墨烯材料往往能遭受行业的亲睐，是由于它比光伏材料有过之而无不及，它是全球最薄、导电率能最強的原材料。石墨烯材料只有一个分子厚，而且具备抗压强度高、传热和导电性效高出色特点，当石墨烯材料与与其它原素夹杂或复合型也可具备半导体材料特点。

　　但是牵制石墨烯材料商业化的的是，这类材质现阶段依然没法批量生产，并且石墨烯材料制取成本费也一直持续上升，生产制造一克石墨烯材料比金子还需要贵出许多。

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