英飞凌发布颠覆性的碳碳复合材料（SiC）MOSFET技术性，使设计产品能够 在功率和功能上做到空前的水准。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具有更高协调能力，可提高工作效率和頻率。他们将有利于开关电源变换计划方案的开发者节约室内空间、缓解净重、减少排热规定，并提升安全性和减少系统软件成本费。

　　英飞凌工业生产输出功率操纵业务部首席总裁Helmut Gassel博士研究生强调：“20很多年来，英飞凌一直走在开发设计SiC解决方法的最前端，专注于满足客户对环保节能、减缩规格、信息系统集成和提升系统可靠性的要求。英飞凌生产制造出上百万件带有SiC元器件的商品，而人们的肖特基二极管和J-FET技术性使设计方案工作人员可以完成运用传统式集成ic不太可能实现的功率和特性。该解决方法如今朝前迈开了一大步，将输出功率MOSFET包含以内，这导致从SiC技术性得到的好处将被提高到史无前例的新水准。”

　　SiC MOSFET产生的危害十分明显。开关电源变换计划方案的电源开关頻率可做到现阶段常用电源开关次数的三倍或之上。这能提供众多好处，如降低带磁元器件和系统软件机壳使用的铜和铝二种材质的使用量，有利于打造出更小、更加轻的系统软件，进而降低运送劳动量，而且更方便安裝。新解决方法有利于环保节能的特性由开关电源变换设计方案工作人员来完成。这种使用的特性、高效率和系统软件协调能力也将提高至全方位方面。

　　全新升级1200V SiC MOSFET历经提升，兼顾稳定性与特性优点。他们在动态性耗损层面塑造了新标杆，对比1200V硅（Si）IGBT低了一个量级。这在最开始能够 适用光伏逆变器、ups电源（UPS）或电池充电/储能系统等使用的系统软件改善，自此可将其范畴扩展到工业生产变频调速器。

　　该MOSFET彻底兼容一般 用以推动IGBT的 15 V/-5 V工作电压。他们将4 V标准阀值额定电流（Vth）与总体目标运用标准的短路故障可扩展性和彻底控制的dv/dt特点融合起來。与Si IGBT对比的重要优点包含：单独于溫度的开关损耗和无阈值电压的静态数据特点。

　　全新升级MOSFET汇融了很多年SiC半导体材料开发设计工作经验，根据领先的管沟半导体材料加工工艺，意味着着英飞凌CoolSiC 商品大家族的全新发展趋势。该商品系列产品包含肖特基二极管和1200 V J-FET元器件及其在一个控制模块中集成化Si IGBT和SiC二极管的一系列混和解决方法。

　　第一款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的通断电阻器（RDS（ON））额定电流为45 mΩ。他们将选用3脚位和4脚位TO-247封裝，对于光伏逆变器、UPS、蓄电池充电和存储运用。因为融合了反向恢复耗损贴近零的经久耐用体形二极管，因此 这2种规格的元器件都可以供用以同步整流计划方案。4脚位封裝有一个附加的源极联接接线端子（Kelvin），做为门极推动电流的参照电位差。根据清除因为源极电感器导致的损耗的危害，这能够 进一步减少开关损耗，特别是在高些电源开关頻率时。

　　此外，英飞凌还公布推出了根据SiC MOSFET技术性的1200 V‘Easy1B’半桥和升压模块。这种组件选用PressFIT联接，有优良的热页面、低杂散电感器和牢固的设计方案，每一种封裝的控制模块均有11 mΩ和23 mΩ的RDS（ON）额定电流选择项。

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