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东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列

2022-02-03 14:43分类:电子元器件 阅读:

 

  根据选用DMOS FET 型輸出控制器来扩张高效率晶体三极管列阵主力阵容

  日本东京—东芝公司(TOKYO:6502)今日公布,该企业已经开发设计BiCD[2]晶体三极管列阵TB62xxxA系列产品,以替代其双极晶体三极管列阵TD62xxx系列。后面一种在一系列普遍的使用中应用,包含电动机、汽车继电器和LED驱动。新一代产品系列将配用选用全新的BiCD加工工艺科研开发的DMOS FET型輸出控制器。试品交货和批量生产方案于2015年6月运行。

  对比目前的双极晶体三极管列阵,新品将给予迅速的转换速率并降低键入电流量,与此同时有利于提升效率高效率。

  飞利浦供货双极晶体三极管列阵的时间已逾40年,且现阶段高压(约50V)TD62xxx系列包括100几款设备。伴随着近期顾客对氢氧化物半导体材料场效晶体三极管(MOSFET)型列阵的要求超出双极列阵,飞利浦决策逐渐选用BiCD加工工艺科研开发晶体三极管列阵,此项技术性有希望变成以后的规范。

  飞利浦已从当月逐渐开展产品研发,并将于2015年6月运行新系列产品第一款商品TB62003A的试品交货和批量生产。TB62003A是目前TD62003A的全新升级。接着,该企业方案每六个月发布TB62xxxA系列产品中的几款商品,积累将发布超出12款商品。

  新系列产品的关键特点

  · 生产工艺:130nm BiCD(飞利浦的全新BiCD生产工艺)

  · 保持工作电压:50V,与目前的双极晶体三极管列阵同样

  · 封裝:与目前双极晶体三极管列阵的封裝同样,均选用相同的脚位分派

  · 輸出电流量:500mA(TB62003A:与目前商品同样)

  · 作用:与目前商品同样

  · 产品名字:“TB62xxxA系列产品”,由“TD62xxxA系列产品”变动而成(命名规范还将更改)

  注:

  · [1]双扩散型氢氧化物半导体材料场效晶体三极管

  · [2]完成双极、CMOS和DMOS机器设备集成化的生产工艺

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