飞利浦开发设计出提升 了内嵌二极管（体二极管）修复特点的超结（Super JuncTIon）结构MOSFET“DTMOS”，并在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举办的输出功率电子信息技术交流会“PCIM 2013”上开展了展现。新品的抗压为600V，与该企业原商品对比，减少了内嵌二极管的反向恢复時间（trr）。

　　本次飞利浦展览了三款开发产品，包含较大 工作电流为15.8A、通断电阻器为0.23Ω的“TK16A60W5”；较大 工作电流为30.8A、通断电阻器为0.099Ω的“TK31A60W5”；及其较大 工作电流为38.8A、通断电阻器为0.074Ω的“TK39A60W5”。

　　内嵌二极管的反向恢复時间层面，TK16A60W5为100ns（允差值），而飞利浦的原商品则为280ns。新品的气温特点也进一步提高，在150℃的环境温度下工作中时，反向恢复時间为140ns。据讲解员详细介绍，“别的企业商品的反向恢复時间大多在160ns上下”。

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