N断面耗光型MOSFET

1) N断面耗光型MOSFET的构造

N 断面耗光型MOSFET 的结构示意图如图4-4a所显示。耗光型MOSFET 的标记如图4-4b 所显示。N 断面耗光型MOSFET 的结构特征与加强型MOSFET 构造类似，不同点取决于N 断面耗光型MOSFET 在生产全过程中在栅源中间的SiO2中引入一些正离子(图上4-9选用“＋”表明)，使漏源中间的导电性断面在Ugs=0 时导电性断面就早已具有了，这一断面称之为原始断面。因而称之为N断面耗光型MOSFET。因为Ugs=0 时就存有原始导电性断面，因此 只需再加上Uds就能产生漏极电流量Id 。

2) N断面耗光型MOSFET的性能曲线图
N 断面耗光型MOSFET的漏极电流量可类似表达为

式中。Idss是Ugs=0时的漏极电流量。
表4-1 各种各样场效管特点较为

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