TLP290和TLP291是採用了SO4封裝的單安全通道输出電晶體光纤耦合器，具备高絕緣電壓(3750 Vrms)及能確保在高温(Ta = 110°C最高值)。
TLP290和TLP291分别是當前TLP280/TLP284 和TLP281/TLP285的升级产品。 能輕实用這些产品替代现在的這些型號，因为這些产品的參考焊盤规格與现在的MFSOP4封裝型號的规格是一樣的。
因为SO4 封裝能確保最少為5mm的間隙和爬電距離，而不是SOP4在現笔挺號(TLP 280和TLP 281)中所使用的4mm的距離。如同EN 60747-5-5中所規定的那樣，這些产品允許的最高工作中絕緣電壓高達707 Vpk。因为TLP 290和TLP 291能確保，與TLP 284和TLP 285具备同样的最少間隙和爬電距離，及其允許的最高工作中絕緣電壓也一樣，因此前面一种能替代後者。
并且，這種產品能確保内部絕緣薄厚為0.4mm，并且屬於加強絕緣種類，合乎國外安全性規範。 因为這些产品获得了UL、cUL、及其VDE的認證，因此他們十分適用於AC適配器、開關電源、可編程邏輯控制板、轉換器等各種電子设备應用場合。

特征

工作中温度範圍: -55至110°C 集電極—發射極電壓: 80V (极小值) 絕緣: 3750Vrms (极小值) 電流傳輸比: 50至 400% (at I_F=5mA, V_CE=5V, Ta=25°C)

應用

開關電源 PLC (可編程邏輯控制板) FA设备(變頻器、伺服电机系統)

輪廓圖/間距配备

電路實例

適用於轉換器通讯

关键規格

採用了半間距封裝的單安全通道輕薄通用性電晶體光纤耦合器的关键規格: TLP290, TLP291

项目

符號

單位

測試条件

TLP280 / TLP281

TLP290 / TLP291

极小值

典型值

最高值

极小值

典型值

最高值

正方向電壓

V_F

V

I_F=10mA

1

1.15

1.3

1.1

1.25

1.4

集電極暗電流

I_CEO

μA

V_CE=48V

-

0.01

0.1

-

0.01

0.08

集電極-發射極擊穿電壓

V_(BR)CEO

V

I_C=0.5mA

80

-

-

80

-

-

集電極--發射極擊穿電壓

V_(BR)ECO

V

I_E=0.1mA

7

-

-

7

-

-

電流傳輸比

I_C/I_F

%

I_F=5mA, V_CE=5V

50

-

600

50

-

400

飽和CTR

I_C/I_F(sat)

%

I_F=1mA, V_CE=0.4V

-

60

-

-

60

-

飽和CTR、GB電平产品

30

-

-

30

-

-

集電極-發射極飽和電壓

V_CE(sat)

V

I_C=2.4mA, I_F=8mA

-

-

0.4

-

-

0.3

集電極-發射極飽和電壓,
GB電平

I_C=0.2mA, I_F=1mA

-

-

0.4

-

-

0.3

斷開的集電極電流

I_C(off)

μA

V_F=0.7V, V_CE=48V

-

-

10

-

-

10

絕緣

BVs

Vrms

AC,1分钟, R.H.≤60%

2500

-

-

3750

-

-

結構

TLP290 / TLP291

TLP280 / TLP281
(電流产品)

TLP284 / TLP285
(電流产品)

内部結構

雙模類型

單模類型

封裝规格
(mm)

樹脂颜色

灰黑色

乳白色

間隙和爬電
距離(mm)

5.0 (极小值)

4.0 (极小值)

5.0 (极小值)

絕緣薄厚
(mm)

0.4 (极小值)

0.4 (极小值)

上一篇：IGBT驱动光耦TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

下一篇：云母电容与一般电容的五大区别