湿式离子注入是MEMS 元器件除去放弃原材料的传统手工艺，总公司坐落于英国的Point 35 Microstructures在SEMICON China期内发布了干法刻蚀控制模块与金属氧化物释放出来技术性，该技术性为MEMS元器件室内设计师带来了大量的生产制造挑选，与此同时产生了广泛的生产制造加工工艺对话框，进而使合格率获得了提高。

　　SVR-vHF金属氧化物释放出来控制模块融合目前的memsstar SVR-Xe 放弃性汽相释放出来控制模块，运用没有水氢氟蒸气(aHF)来除去放弃金属氧化物，进而释放出来MEMS机械系统。SVR蚀刻加工方式能够完全地除去放弃原材料而不危害机械系统或造成 粘附，它与此同时带来了极度的替代性、精确性和匀称性。SVR保存有干躁的表层，沒有其他残余物或水蒸气，这也省掉了包括在湿式加工工艺中的表层提前准备、引进酸、中合及其接着的烘干等流程。

　　SVR与CMOS加工工艺和CMOS圆晶设备是兼容的，这促使MEMS元器件能够像传统式的集成电路芯片一样在同样的设备和基钢板上实现生产制造，这也将适用新种类的片式MEMS/CMOS 元器件。SVR进一步的作用包含降低原材料的应用和更低的消耗。