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反激DCM模式RCD参数计算

2022-06-23 13:43分类:电子元器件 阅读:

  反激DCM模式RCD主要参数测算

这儿最先给予2~3篇运用笔记上的计算方式,随后对其开展改善比照,随后在模拟仿真中比照具体結果。

最先咱们将关注的要素变小,把关键考虑到的原素分成Mos管的等效电路輸出电容器Coss,变电器励磁电感Lm,变电器的初中级漏感Lkp做为考虑到目标。
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如下图所示,假如不用RCD钳位,电源电路在DCM模式下,电源电路很有可能产生2次震荡,第一次主要是初中级漏感Lkp和Coss的电容器引发的,第二次关键是在电源电路动能耗光后,励磁电感和Coss电容器震荡导致的这儿必须填补一下,在模拟的情况下,早已留意到这一突出的状况了。
下边进行大家的测算:

测算全过程,把Flyback的估算全过程带到在其中:
点击看大图
找了好点文本文档全是那么测算的,但是我发现了好多个难题
1.耗费的动能不仅是漏感的,也包含励磁电感的动能
2.在钳位全过程中,工作电压是转变的,并不会有完全钳位在V.c_mx的情形产生
因而人们必须改动实体模型

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