场效管原理
　　场效晶体三极管（Field Effect Transistor简称(FET)）通称场效管。一般的晶体三极管是由二种旋光性的自由电子,即大部分自由电子和反旋光性的极少数自由电子参加导电性,因而称之为双极型晶体三极管,而FET仅是由大部分自由电子参加导电性,它与双极型反过来,也称之为单级型晶体三极管。它归属于工作电压操纵型半导体元器件，具备输入电阻高（108～109Ω）、噪音小、功能损耗低、采样率大、便于集成化、沒有二次穿透状况、安全工作地区宽等优势，已经变成双极型晶体三极管和输出功率二极管的强劲竞争对手。
1、场效管的归类
　　场效管分结型、绝缘层栅型两类。结型场效管（JFET）因有两个PN结而而出名，绝缘层栅型场效管（JGFET）则因栅压与其他电级彻底绝缘层而而出名。现阶段在绝缘层栅型场效管中，运用极其普遍的是MOS场效管，通称MOS管（即金属材料-金属氧化物-半导体材料场效管MOSFET）；除此之外也有PMOS、NMOS和VMOS输出功率场效管，及其近期刚诞生的πMOS场效管、VMOS功率模块等。
　　按断面半导体器件的不一样，结型和绝缘层栅型又分n断面和P断面二种。若按导电性方法来区划，场效管又可分为耗光型与加强型。结型场效管均为耗光型，绝缘层栅型场效管不仅有耗光型的，也是有加强型的。

上一篇：怎样看电路图（二）

下一篇：硬盘电路板维修基础