场效应管是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。它具有高输入阻抗、低输出阻抗、电流放大倍数大等优点，因此在放大、开关、调节等电路中得到了广泛的应用。本文将从多个方面对6种场效应管的图形进行阐述。

我们来介绍场效应管的基本结构。场效应管由栅极、漏极和源极组成，其中栅极是控制电流的输入端，漏极是输出端，源极则是中间连接的端口。栅极与漏极之间的电压决定了场效应管的导通情况，从而实现对电流的控制。

第一种场效应管的图形是N沟道MOSFET（NMOS）。NMOS的栅极与漏极之间存在一个P型衬底，形成N型沟道。当栅极与源极之间的电压大于阈值电压时，沟道会形成导通通道，电流从源极流向漏极。NMOS的导通特性使其适用于开关电路和数字电路。

第二种场效应管的图形是P沟道MOSFET（PMOS）。与NMOS相反，PMOS的栅极与漏极之间存在一个N型衬底，形成P型沟道。当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时，沟道会形成导通通道，电流从漏极流向源极。PMOS的导通特性使其适用于开关电路和数字电路。

第三种场效应管的图形是增强型N沟道MOSFET（Enhancement NMOS）。增强型NMOS在导通时需要栅极与源极之间的电压大于阈值电压，而阈值电压以下时处于截止状态。增强型NMOS的导通特性使其适用于放大电路和模拟电路。

第四种场效应管的图形是增强型P沟道MOSFET（Enhancement PMOS）。增强型PMOS在导通时需要栅极与源极之间的电压小于阈值电压，而阈值电压以上时处于截止状态。增强型PMOS的导通特性使其适用于放大电路和模拟电路。

第五种场效应管的图形是耐压型N沟道MOSFET（Depletion NMOS）。耐压型NMOS在导通时需要栅极与源极之间的电压小于阈值电压，而阈值电压以下时处于截止状态。耐压型NMOS的导通特性使其适用于高压电路和功率电路。

第六种场效应管的图形是耐压型P沟道MOSFET（Depletion PMOS）。耐压型PMOS在导通时需要栅极与源极之间的电压大于阈值电压，而阈值电压以上时处于截止状态。耐压型PMOS的导通特性使其适用于高压电路和功率电路。

6种场效应管的图形分别具有不同的导通特性和应用范围。NMOS和PMOS适用于开关和数字电路，而增强型NMOS和增强型PMOS适用于放大和模拟电路。耐压型NMOS和耐压型PMOS适用于高压和功率电路。了解这些不同的场效应管图形对于正确选择和应用场效应管至关重要。

本文从多个方面对6种场效应管的图形进行了阐述。通过了解它们的基本结构、导通特性和应用范围，我们可以更好地理解场效应管的工作原理和使用方法，从而在电子电路设计和应用中更加灵活和准确地使用场效应管。

上一篇：6位数码管连接图示

下一篇：6脚光耦原理图