三极管的根柢构造和特征
拓宽原理:把基极电流的纤细改动可致使使集电极电流较大改动的特性称为晶体管的电流拓宽效果。
本质:用一个纤细电流的改动去操控一个较大电流的改动。
三极管拓宽的外部条件:发射结正偏、集电结反偏
从电位的视点看:
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
PNP
发射结正偏 VB<VE
集电结反偏 VC<VB
上一篇:USB接口界说及USB接口外形图
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拓宽原理:把基极电流的纤细改动可致使使集电极电流较大改动的特性称为晶体管的电流拓宽效果。
本质:用一个纤细电流的改动去操控一个较大电流的改动。
三极管拓宽的外部条件:发射结正偏、集电结反偏
从电位的视点看:
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
PNP
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