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什么是场效应晶体管的漏一源击穿电压βUDS?它是怎样定义的？

2017-02-23 09:13分类：电子元器件 阅读：

　

    在增加漏一源电压过程中，使Ih开始剧增的UDS值，称为漏一源击穿电压βUDS。ID剧增有以下2方面的原因：
  (1)UDS增加由于UDS增加，漏极附近耗尽层首先产生雪崩击穿。
  (2)漏．源极之间导通击穿有些高频MOS管，其沟道长度较短，增加UDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏，源极间的导通。导通后，源区中的多数载流子将直接受耗尽层电场的吸引，达到漏区，产生大的ID。

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