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什么是场效应晶体管的栅一源击穿电压βUGS?它是怎样定义的？

2017-02-23 09:15分类：电子元器件 阅读：

　

  场效应晶体管的最大栅-源耐压，也就是栅一源击穿电压βUGS，对于不同的管子，该参数也不一样。
    (1)结型场效应晶体管
    对于结型场效应晶体管，若
栅一源PN结就会产生反向击穿。其数量与βUDS -样，为20V左右。
    (2) MOS管对于MOS管，若
就可能使栅极下面的二氧化硅绝缘层击穿，造成管子损坏。通常βUDS的数量为几十伏。

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