1．电路的构成
　　分压式偏置电路如图1（a）所示。其间：
　　Rb1和Rb2是基极偏置电阻。
　　C1是耦合电容，将输入信号vi耦合到三极管的基极。
　　Rc是集电极负载电阻。

(a)电路　　　　　　　　　　　(b)微变等效电路

图1 分压式偏置电路及其微变等效电路

　　Re是发射极电阻，Ce是Re的旁路电容，它为沟通讯号供应通道，防止了Re对输入信号的衰减。Ce的电容量通常为几十微法到几百微法。
　　C2是耦合电容，将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。
　　图1（b）是图1（a）电路的微变等效电路。

　　2．安稳静态作业点原理
　　设流过基极偏置电阻的电流IR>>IB，因而能够以为基极电位VB只取决于分压电阻、，VB与三极管参数无关，不受温度影响。
　　静态作业点的安稳是由VB和Re一同效果完毕，安稳进程如下：
　　设温度增加→IC↑→IE↑→VBE↓→IB↓→IC↓
其间：IC↑→IE↑是由电流方程 IE ＝ IB＋IC得出，IE↑→VBE↓是由电压方程VBE＝ VB－IERe得出，IB↓→IC↓是由 IC ＝βIB得出。
　　由上述剖析不行贵出，Re越大安稳性越好。但事物老是具有双面性，Re太大其功率损耗也大，一同VE也会增加许多，使VCE减小致使三极管作业方案变窄。因而Re不宜获得太大。在小电流作业状况下，Re值为几百欧到几千欧；大电流作业时，Re为几欧到几十欧。

　　3．静态剖析
　　剖析图1电路的直流转路如图2，能够得出：
基极电位 VB ＝ VCC Rb2 / (Rb1+Rb2)
发射极电流 IE ＝( VB－VBE)/ Re
集电极电流 IC≈IE
基极电流 IB ＝ IC / β
集射极电压 VCE＝ VCC －ICRc－IERe＝ VCC－IC(Rc+Re)
　　4．动态剖析
　　依据图1（b）的微变等效电路，有

图2 根柢拓宽电路的直流转路

　　　　　　　
　　电压拓宽倍数Av
　　　　　　　Av ＝Vo/ Vi ＝ －βRL′/ rbe　　 （2）
　　输入电阻ri
　　　　　　　ri ＝ Vi / Ii 　　　　　（3）
　　　　　　　　＝ rbe // Rb1// Rb2≈rbe ＝ rbb` (1+β)26 mV/ IE
　　　　　　　　＝300Ω+(1+β)26 mV/ IE
　　依据输出电阻的界说，应将图1（b）微变等效电路的输入端短路，将负载开路。在输出端加一个等效的输出电压。所以输出电阻ro
　　　　　　　　　　　　　ro ＝ rce∥Rc≈Rc （4）

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