晶体管有两个PN结：发射结和集电结，当作业频率很高时，结电容不能疏忽，每个PN结都能够用一个结电阻和结电容并联来等效。依照晶体管的实习构造，思考发射结和集电结电容后，可得如图1(a)所示的模型，常称为晶体管的物理模型。

物理模型中，、别离为集电区和发射区的体电阻，它们的数值很小，实习上可疏忽不计。为集电结的反偏电阻，为三极管动态输出电阻，它们一般数值较大，可当作开路。所以可得到如图1 (b)所示的简化混合π模型。

简化混合π模型中，集电结电容横跨在输入和输出两个回路之间，使电路剖析很不便利利利利利利当当利当当。为此，可通过密勒定理将折合到输入回路的等效电容和输出回路中的等效电容，如图1(c)所示。设（近似为中频时的电压拓宽倍数），可知，为负值，且。由密勒定理可得

因为输出回路中的等效电容容量很小，它与后边的负载所构成的时刻常数也很小，工程核算常常常可疏忽。因而简化后的高频小信号模型如1 (d)所示，图中。

图1 三极管的高频小信号模型

(a) 物理模型 (b) 简化混合π模型 (c) 单向化处理 (d) 简化模型

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