根柢逻辑门的根柢构造、作业原理以及外部特性

一、TTL 与非门

*输入级由多发射极晶体管 T 1 和基极电组 R 1 构成，它完毕了输入变量 A 、 B 、 C 的与运算

* 基地级是拓宽级，由 T 2 、 R 2 和 R 3 构成， T 2 的集电极 C 2 和 发射极 E 2 能够分供应两个相 位相反的电压信号

* 输出级：由 T 3 、 T 4 、 T 5 和 R 4 、 R 5 构成 其间 T 3 、 T 4 构成复合管，与 T 5 构成推 拉式输出构造。具有较强的负载才调

TTL与非门作业原理

*输入端全为高电平T1:Vb1= Vbc1+Vbe2+Vbe5 = 0.7V×3 = 2.1V,发射结反偏而集电极正偏.处于倒置拓宽状况

*T2：饱满状况T3：Vc2 = Vces2 + Vbe5≈1V，使T3导通，Ve3 = Vc2-Vbe3 = 1-0.7≈0.3V，使T4截止。T5：深饱满状况，因而输出为逻辑低电平VOL = 0.3V3 .6V

TTL与非门作业速度

存在疑问： TTL 门电路作业速度 有关于MOS较快，但由于当输出为低电往常T 5 作业在深度饱满状况，当输出由低转为高电平，由于在基区和集电区有存储电荷不能立刻散失，而影响作业速度 。

改善型TTL与非门

或许作业在饱满状况下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特基势垒二极管（SBD）的三极管替代，以捆绑其饱满深度，跋涉作业速度

*添加 有源泄放电路

1 、跋涉作业速度 削减了电路的翻开时刻 缩短了电路封闭时刻

2 、 跋涉抗烦扰才调 T 2 、 T 5 一同导通，因而电压传输特性曲线过渡区变窄，曲线变陡，输入低电平噪声容限 V NL 跋涉了 0.7V 摆布

TTL “ 与非 ” 门的外特性及首要参数

· 电压传输特性

TTL “ 与非 ” 门输入电压V I 与输出电压V O 之间的联络曲线，即 V O = f（V I ）

* 截止区 当V I ≤0.6V，V b1 ≤1.3V时，T 2 、T 5 截止，输出高电平V OH = 3.6V

* 线性区当0.6V≤V I ≤1.3V，0.7V≤V b2 ＜1.4V时，T 2 导通，T 5 仍截止，V C2 随V b2 添加而降低，经T 3 、T 4 两级射随器使V O 降低

TTL “ 与非 ” 门的外特 性及首要参数

· 抗烦扰才调

关门电平 V OFF ： 确保输出为规范高电平 V SH 的 最大 输入 低 电平值

开门电平 V ON ： 确保输出为规范低电平 V SL 的 最小 输入高电平值

低电平噪声容限 V NL ： V NL= V OFF - V SL

高电平噪声容限 V NH ： V NH= V SH - V ON

· 输入特性

输入电流与输入电压之间的联络曲线，即 I I = f （ V I ） ( 假定输入电流 I I 流入 T 1 发射极时方向为正，反之为负 )

1. 输入短路电流 I SD （也叫输入低电平电流 I IL ） 当 V IL = 0V 时由输入端流出的电流

( 前级驱动门导通时， I IL 将灌 入前级门，称为灌电流负载 )

2. 输入漏电流 I IH （输入高电平电流）

指一个输入端接高电平，别的输入端接低电平，经该输入端流入的电流。约 十 μA 摆布

· 扇入系数N i 和扇出系数N O

1. 扇入系数N i 是指合格的输入端的个数

2. 扇出系数N O 是指在灌电流（输出低电平）状况 下驱动同类门的个数。

其间I OLmax 为最大容许灌电流，,I IL 是一个负载门灌入本级的电流（≈1.4mA）。No越大，阐明门的负载才调越强

· 均匀传输推延时刻t pd

导通推延时刻tPH：L输入波形上升沿的50%幅值处到输出波形降低沿50% 幅值场合需求的时刻

截止推延时刻t PLH ： 从输入波形降低沿50% 幅值处到输出波形上升沿50% 幅值场合需求的时刻，

均匀传输推延时刻t pd：

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