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电工考证知识 半导体三极管和场效应管的低频小信号模型
一、晶体三极管的低频小信号模型 在上述条件下，把晶体三极管当作一个双口网络，并把b-e作为输进口，c-e为输出口，则网络外部的端电压和电流联络便是晶体管的输入特性和输出特性。如图所示： 能够写成如下联络式： 晶体三极管的低频小信号模型如下： 由电路网络理论得出： 由于内电压反响系数 在运用三极管低频小信号模型时应留心： ①只适用于低频小信号条件下； ②改动量或沟通重量，不容许呈现直流量或瞬时量符号； ③模型中的参数，与Q点有关，不是固定常数； ④电流源“βib” 方向和巨细由ib 挑选； ⑤β和rbe可用H参数查验仪测得，而rbe可用公式核算 ： 二、场效应管的低频小信号模型 晶体三极管的低频小信号模型相同，场效应管在低频小信号的条件下，在特性曲线Q点邻近的某一小段曲线，相同能够等效成一条直线。不论是结型的仍是MOS场效应管，由于栅极都不取电流，而漏源之间恰当所以电压操控电压源，所以有如下的低频小信号模型。
，式中，
是各电量的瞬时总量。在低频小信号条件下，研讨各改动量之间的联络，对两联络式求全微分得：
，式中，
代表
的改动量有些，则有：
。
，其间，
是晶体管输出沟通短路时的输入电阻(动态输入电阻)；
是晶体管输入沟通开路时的内电压反响系数(很小)；
是晶体管输出沟通短路时的电流拓宽系数；
是输入沟通开路时的输出电导(晶体管输出电阻的倒数)。很小，常略。而输出电导也很小，输出电阻很大。所以，晶体三极管的低频小信号模型如下：
，其间，rbb′为晶体三极管的基区体电阻，约为十0～300Ω；VT＝26mV(室温下，是电压的温度档量)；IEQ为发射极静态电流。rbe公式的推导可参看《仿照电子技能根底》高教出书社出书，清华大学童诗白，华成英主编(三版)。 最新更新
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