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ECL门的根柢构造

2017-04-15 05:16分类:电工考证知识 阅读:

 

因为TTL门中BJT作业在丰满状况,开关速度遭到了绑缚。只需改动电路的作业办法,从丰满型变为非丰满型,才调从根柢上行进速度。ECL门便是一种非丰满型高速数字集成电路,它的均匀传输推延时刻可在2ns以下,是如今双极型电路中速度最快的。
图1是最简略的ECL门,硅BJT T1、T2、T3构成发射极耦合电路。T3的基极接一个固定的参看电压VREF,输入信号接到T1、T2的基极。输出信号由T1、T2或T3的集电极获得。

图1  ECL门根柢电路
1.当输入端AB都接低电平0(设VA=VB=0.5V)时
因为VREF=1V,因而T3优先导通,这就使发射极e的电位VE=VREF-VBE3=0.3V。关于T1、T2来说,因为 VE=0.3V,而VA=VB=0.5V,虽然基极电位比发射极电位高0.2V,但由所以硅管,仍可确保截止。这时流过Re的电流将悉数由T3供给,且有IE=[VE-(-VEE)]/Re=(0.3V+12V)/1.2≈十mA。这么

VC3=VCC-IERc3=6V-十mA×0.1=5V

VC1=VCC=6V

由此可见,当输入为0时,T1、T2截止,输出端c1为高电平1(+6V);T3导通,输出端c3为低电平0(+5V)。并且因为VB3=VREF=1V,而VC3=5V,所以T3处于拓宽状况而未抵达丰满。
2.当输入端AB中有一个接高电平1(设A接高电平,VA=1.5V)时
因为VA>VREF,所以T1优先导通,这就使VE=1.5V-0.7V=0.8V,对T3来说,这时基极电位比发射极电位仅高0.2V,能够确保T3截止。流过Re的电流由T1供给,且有IE=(0.8V+12V)/1.2 =十.6mA,而

VC1=VCC-IERc1=6V-十.6mA×0.1≈5V

VC3=VCC=6V

此刻T1处于拓宽状况。因为T1和T2的发射极和集电极是别离连在一同的,所以只需AB中有一个接高电平,都会使c1为低电平0(+5V),而c3为高电平1(+6V)。
由上剖析可得

c1=A+B 或非输出

c3=A+B 或输出

即ECL门的根柢逻辑功用是一同具有或非/或输出,称之为互补逻辑输出。
一同,不论是哪个BJT导通,所构成的发射极电流IE都是很挨近的。这个电流受输入信号操控,别离流入T1或T2或T3,就象一个开关在操控,所以ECL电路又称为电流开关型电路(CML)。
以上所述的是具有AB两个输入端的或非电路,只需添加一样类型的BJT与T1并联,就能添加门电路的输入端数。
图1所示电路中存在的疑问是,输出端的高、低电平与输入端的高、低电平电压纷歧同(虽然摆幅持平)如表1所示。有用上,可选用加电压随从器等移动电平值的办法来处理。

表1ECL门输入输出电平对照表

输入

输出

低电平0

高电平1

低电平0

高电平1

+0.5V

+1.5V

+5V

+6V

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