1.构造
下图中示出了N沟道结型场效应管的构造示意图以及它在电路中的符号。

在一块N型硅棒的两边，运用合金法、分散法与别的技能做成掺杂程度比照高的P型区（用符号P+标明），则在P+型区和N型区的交界处将构成一个PN结，或称耗尽层。将两边的P+型区衔接在一同，引出一个电极，称为栅极（G），再在N型硅棒的一端引出源极（S），另一端引出漏极（D），见图（a）。假如在漏极和源极之间加上一个正向电压，即漏极接电源正端，源极接电源负端，则因为N型半导体中存在大都载流子电子，因而能够导电。这种场效应管的导电沟道是N型的，所以称为N沟道结型场效应管，其电路契合见图（b）。留意电路符号中，栅极上的箭头指向内部，即由P+区指向N区。

2. 作业原理

从结型场效应管的构造现已看出，在栅极和导电沟道之间存在一个PN结。假定在栅极和源极之间加上反向电压UGS，使PN结反向偏置，则能够经过改动UGS的巨细来改动耗尽层的宽度。例如，当反向电压的值|UGS|变大时，耗尽层将变宽，所以导电沟道的宽度相应地减小，使沟道自身的电阻值增大，所以，漏极电流ID将削减。所以，经过改动UGS的巨细，即可操控漏极电流ID的值。

因为导电沟道的半导体资料（例如N区）掺杂程度比照照较低，而栅极一边（例如P+区）的掺杂程度很高，因而当反向偏置电压值添加时，耗尽层总的宽度将随之增大。但交界面两边耗尽层的宽度并不持平。因而，掺杂程度低的N型导电沟道中耗尽层的宽度比高掺杂的P+区栅极一侧耗尽层的宽度大得多。能够以为，当反向偏置电压增大时，耗尽层首要向着导电沟道一侧展宽。

改动栅极和源极之间的电压UGS，即可操控漏极电流ID。这种器材运用栅极和源极这宰的电压UGS平改动PN结中的电场，然后操控漏极电流ID,故称为场效应管。关于结型场效应管来说，老是在栅极和源极之间加一个反抽偏置电压，使PN结反向偏置，此刻能够以为栅极底子上不取电流，因而，场效应管的输入电阻很高。

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