1. E/EMOS反相器
　　（1）电路构造
　　反相器又称“非”门电路，NMOS反相器如图1所示。图中T1为输入器材也称驱动管；T2的栅极与漏极相联，作为T1漏极的负载电阻，故称负载管。由于运用集成电路制造技能来制造一个高阻值的电阻比制造一个MOS管可贵多，所以负载电阻常用MOS管来替代。MOS管导通后的导通电阻（漏极与源极之间的电阻）与其跨导gm有关。跨导大的则其导通电阻小。驱动管T1的跨导较大，通常为十0～200μA/V；而负载管T2的跨导较小，通常为5～十μA/V。因而，T2的导通电阻比T1要大很多。 　

　　（2）作业原理
　　当输入端A为1时，T1的栅源电压VGS大于它的敞开电压，T1导通。由于T2的栅极与漏极相联并接到正电源VDD上，其栅源电压也必定大于敞开电压，T2老是处于导通状况。又由于T1的导通电阻远比T2的小，其管压降很小，故输出端Y为0。
当输入端A为0时，T1的栅源电压低于它的敞开电压，T1截止，而T2老是处于导通状况，故输出端Y为1。
　　2.NMOS“与非”门电路
　　（1）电路构造
　　NMOS“与非”门电路如图2所示，其间，T3为负载管，T1和T2相串联，为驱动管。

图1 NMOS“与非”门电路　　　　　　　　图2 NMOS“或非”门电路

　 （2）作业原理
　　当A，B两个输入端全为1时，T1与T2两管导通，它们的导通电阻都比负载管的低得多，因而这两个驱动管的管压降都很小，输出端Y为0。
　　当输入端有一个或全为0时，则串联的驱动管截止，输出端Y为1，这时与高电平输入端相联的管子构成导电沟道。
　　3.NMOS“或非”门电路
　　图2 是NMOS“或非”门电路，T1和T2两个驱动管并联，然后再与负载管T3串联。
　　当A，B两个输入端全为1或其间一个为1时，则相应的驱动管导通，输出端Y为0。只需当输入端A，B全为0时，T1和T2都截止，输出端Y才为1。这种“或非”逻辑联络可用下式标明：　　　　　　　　　

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