MOSFET的输出特性在原点邻近呈线性对称联络，因此它们常用作模仿开关。模仿开关广泛地用于取样－坚持电路、斩波电路、模数和数模改换电路等。

		所谓传输门（TG）便是一种传输模仿信号的 模仿开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道 增强型 MOSFET并联而成，如图1(a)所示。图1(b)是它的的逻辑符号。TP和TN是构造对称 的器材，它们的漏极和源极能够沟通。设它们 的敞开电压|VT|=2V，且输入模仿信号的改动范 围为－5V到＋5V。为使衬底与漏源极之间的PN结 任何时刻都不致正偏，故TP的衬底接＋5V电压， 而TN的衬底接－5V电压。两管的栅极由互补的信 号电压（＋5V和－5V）来操控，别离用C和C表 示。
(a)电路	(b)逻辑符号
图1 CMOS传输门

传输门的作业情况如下：当C端接低电压－5V时，TN的栅压即为－5V，vI取－5V到＋5V计划的恣意值时，TN均不导通。一同，TP的栅压为＋5V，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。
为使开关接通，可将C端接高电压＋5V。此刻TN的栅压为＋5V，vI在－5V到＋3V的计划内，TN导通。一同，TP的栅压为－5V，vI在－3V到＋5V的计划内，TP将导通。
由上剖析可知，当vI＜－3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V,仅有TP导通。当vI在－3V到＋3V的计划内，TN和TP两管均导通。进一步剖析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就添加。因为两管系并联作业，可近似地以为开关的导通电阻近似为一常数，这是CMOS传输门的长处。
在正常作业时，模仿开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，能够疏忽不计。
CMOS传输门除了作为传输模仿信号的开关以外，也可作为各种逻辑电路的底子单元电路。

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