NMOS逻辑门电路是悉数由N沟道MOSFET构成。因为这种器材具有较小的几许尺度，适宜于制作大方案集成电路。此外，因为NMOS集成电路的构造简略，易于运用CAD技能进行方案。与CMOS电路相似,NMOS电路中不运用难于制作的电阻 。NMOS反相器是悉数NMO逻辑门电路的底子构件，它的作业管常用增强型器材，而负载管能够是增强型也能够是耗尽型。现以增强型器材作为负载管的NMOS反相器为例来阐明它的作业原理。

上图是标明NMOS反相器的原理电路，其间T1为作业管，T2为负载管，二者均属增强型器材。若T1和T2在同一技能进程中制成，它们必将具有一样的敞开电压VT。从图中可见，负载管T2的栅极与漏极同接电源VDD，因此T2老是作业在它的恒流区,处于导通状况。当输入vI为

高电压(逾越管子的敞开电压VT)时，T1导通，输出vO;为低电压。输出低电压的值，由T1，T2两管导通时所出现的电阻值之比决议。一般T1的跨导gm1远大于T2管的跨导gm2，以确保输出低电压值在+1V摆布

。当输入电压vI为低电压(低于管子的敞开电压VT)时，T1截止，输出vO为高电压。因为T2管老是处于导通状况，因此输出高电压值约为(VDD—VT)。一般gm1在十0～200

之间,而gm2约为5～15

。T1导通时的等效电阻Rds1约为3～十kΩ，而T2的Rds2约在十0～200kΩ之间

。负载管导通电阻是随作业电流而改动的非线性电阻。

在NMOS反相器的根底上，能够制成NMOS门电路。下图即为NMOS或非门电路。只需输入A，B中任一个为高电平，与它对应的MOSFET导通时，输出为低电平;仅当A、B全为低电平常，悉数作业管都截止时，输出才为高电平。可见电路具有或非功用，即

或非门的作业管都是并联的，添加管子的个数，输出低电平底子安稳，在全体电路方案中较为便利，因此NMOS门电路是以或非门为根底的。这种门电路不像TTL或CMOS电路作成小方案的单个芯片 ，首要用于大方案集成电路。

以上评论和剖析了各种逻辑门电路的构造、作业原理和功用，为便于比照，现用它们的首要技能参数传输推迟时刻Tpd和功耗PD概括描绘各种逻辑门电路的功用，如图所示。

上一篇：逻辑代数的底子概念

下一篇：单限电压比照器电路图解