当PN结反向电压添加时，空间电荷区中的电场跟着增强。这么，经过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场效果下取得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发作磕碰，当电子和空穴的能量满意大时，经过这么的磕碰可使共价键中的电子激起构成安闲电子–空穴对。新发作的电子和空穴也向相反的方向运动，从头取得能量，又可经过磕碰，再发作电子–空穴对，这便是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增状况就像在陡峻的积雪山坡上发作雪崩相同，载流子添加得多而快，这么，反向电流剧增， PN结就发作雪崩击穿。

齐纳击穿

在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存一个强电场，它能够损坏共价键，将绑缚电子别离出来发作电子–空穴对，构成较大的反向电流。发作齐纳击穿需求的电场强度约为2×十5V/cm，这只需在杂质浓度分外大的PN结中才干抵达。因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因此空间电荷区很窄，电场强度或许很高。