在如图1所示的共射极接法的BJT的小信号模型中，H参数的数量级通常为

<XML:NAMESPACE PREFIX = O />

图1

图2

例如，对高频小功率硅管3DG6，在IC=1mA，IB=3μA，VCE=5V时的H参数，经过试验测得

由这些详细数字可见，hoe和hre相对而言是很小的，关于低频拓展电路，输入回路中hrevce比vbe小得多，而输出回路中负载电阻Rc（或RL）比BJT输出电阻1/hoe小得多，所以在模型中常常能够把hre和hoe疏忽掉，这在工程核算上不会带来显着的过错。一同选用习气符号，用rbe替代hie而且b替代hfe，则图1可简化成图2所示模型电路。运用这个简化模型来标明BJT时，可使BJT拓展电路的剖析核算进一步简化。当负载电阻Rc（或RL）较小，满意Rc（或RL）< 0.1rce的条件时，运用这个简化模型来剖析低频拓展电路所得拓展电路的各首要政策，如电压增益、电流增益、拓展电路的输入电阻Ri及输出电阻Ro等，其过错不会逾越十%。

上一篇：二进制计数器的原理

下一篇：施密特触发器传输特性