可控硅的关键电主要参数

可控硅的关键电主要参数有正方向转折点工作电压VBO、正方向均值泄露电流IFL、反方向泄露电流IRL、断态反复最高值工作电压VDRM、反方向反复最高值工作电压VRRM、正方向均值损耗 VF、通态均匀电流量IT、门极开启工作电压VG、门极开启电流量IG、门极反方向工作电压和保持电流量IH等。可参照图5标志。
（一）可控硅正方向转折点工作电压VBO
可控硅的正方向转折点工作电压VBO就是指在额定值结温为100℃且门极（G）引路的标准下，在其阳极氧化（A）与负极（K）中间加正弦函数半波正方向工作电压、使其由关闭情况转换为通断情况时需相应的最高值工作电压。
（二）可控硅断态反复最高值工作电压VDRM
断态反复最高值工作电压VDRM，就是指可控硅在正方向阻隔时，容许加进A、K（或T1、T2）极间较大的最高值工作电压。此工作电压约为正方向转折点工作电压减去100V后的电流值。
（三）可控硅通态均匀电流量IT
通态均匀电流量IT，就是指在規定工作温度和规范排热情况下，可控硅一切正常运行时A、K（或T1、T2）极间所可以根据交流电的均值。（四）反方向击穿电压VBR
反方向击穿电压就是指在额定值结温下，可控硅阳极氧化与负极中间增加正弦函数半波反方向工作电压，当其反方向走电电流量骤然提升时抵制应的最高值工作电压。
（五）可控硅反方向反复最高值工作电压VRRM
反方向反复最高值工作电压VRRM，就是指可控硅在门极G短路时，容许加进A、K极间的最高反方向最高值工作电压。此工作电压约为反方向击穿电压减去100V后的最高值工作电压。
（六）可控硅正方向均值电流VF
正方向均值电流VF也称通态均值工作电压或通态损耗VT，就是指在規定工作温度和规范排热情况下，当根据可控硅的工作电流为额定电压时，其阳极氧化A与负极K中间电流的均值，一般 为0.4~1.2V。
（七）可控硅门极开启工作电压VGT
门极开启VGT，就是指在要求的工作温度和可控硅阳极氧化与负极中间为一定值正方向电流的标准下，使可控硅从阻隔状况转换为通断情况所须要的最低门极交流电压，一般为1.5V上下。
(八)可控硅门极开启电流量IGT
门极开启电流量IGT，就是指在規定工作温度和可控硅阳极氧化与负极中间为一定值工作电压的标准下，使可控硅从阻隔状况转换为通断情况所须要的最低门极直流电流。
（九）可控硅门极反方向工作电压
门极反方向工作电压就是指可控硅门极上所施加的额定电流，一般不超过10V。
（十）可控硅保持电流量IH
保持电流量IH就是指保持可控硅通断的最少电流量。当正方向电流量低于IH时，通断的可控硅会全自动关闭。
（十一）可控硅断态反复最高值电流量IDR
断态反复最高值电流量IDR，就是指可控硅在断态下的正方向较大均值走电电流，一般低于100μA
（十二）可控硅反方向反复最高值电流量IRRM
反方向反复最高值电流量IRRM，就是指可控硅在关闭模式下的反方向较大走电电流，一般低于100μA。.

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