绝缘层栅双极型晶体三极管（IGBT） 　　 IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）称为绝缘层栅压双极晶体三极管。这类元器件具备MOS门极的 快速电源开关特性和双极姿势的高抗压、大电流量容积的这两种特性。其电源开关速率可以达到1mS，额定电压相对密度100A/cm2， 工作电压推动，本身耗损小。其标记和波形如下图所显示。 　　IGBT能够耐髙压、大电流量，常以一个模块、二个模块、六个模块装在一个集成ic上，下面的图得出一、二、六模块在一个单晶硅片上的闭合电路。

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