发光二极管是一种分外的二极管。和通常的二极管相同，发光二极管由半导体芯片构成，这些半导体资料会预先透过写入或搀和等技术以发作p、n架构。与其它二极管相同，发光二极管中电流能够简略地从p极（阳极）流向n极（负极），而相反方向则不能。两种纷歧样的载流子：空穴和电子在纷歧样的电极电压效果下从电极流向p、n架构。当空穴和电子相遇而发作复合，电子会下跌到较低的能阶，一同以光子的办法开释出能量（光子也便是咱们常称谓的光）。

　　它所宣告的光的波长（色彩）是由构成p、n架构的半导体物料的禁带能量抉择。因为硅和锗是直接带隙资料，在常温下，这些资料内电子与空穴的复合对错辐射跃迁，此类跃迁没有释出光子，而是把能量转化为热能，所以硅和锗二极管不能发光（在极低温的特定温度下则会发光，有必要在分外视点下才可发现，而该发光的亮度不显着）。发光二极管所用的资料都是直接带隙型的，因而能量会以光子办法开释，这些禁带能量对应着近红外线、可见光、或近紫外线波段的光能量。

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