电力晶体管的二次击穿及发作二次击穿的要素

2017-03-22 03:34分类：电子元器件阅读：

电力晶体管的二次击穿
(1) PN结的反向击穿
PN结的反向击穿，可分为三品种型：热电击穿、地道击穿和雪崩击穿。
① 热电击穿
当外加反向电压添加时，较大的反向电流致使热损耗，致使器材的结温添加，推进本征载流子浓度显着添加，使反向电流添加更快。构成剧烈的正反响，终究致使PN结击穿。
②地道击穿(齐纳击穿)
假定PN结势垒区的电场很强，穿过禁带的电子许多，反向电流添加很快，然后致使了PN结击穿。
③雪崩击穿
在反向高电压下，PN结势垒区的电场很强，载流子在强电场中得到大的动能，然后变成“热”载流子，“热”载流子与晶格原子相磕碰，使晶格原子价带内的电子被激起到导带，构成电子-空穴对。不断地发作磕碰，不断地发作第二、三、四…代电子-空穴对，使载流子成倍添加，然后致使了PN结击穿。大功率电力电子器材中，雪崩击穿是多见击穿景象。
发作二次击穿的要素
二次击穿首要是因为器材芯片有些过热致使。
正向偏置时，温度添加是由热不均衡性致使的。因为晶体管的结面上有缺点和参数散布不均匀，致使电流散布不均匀，然后致使温度散布不均匀。温度高的有些区域载流子浓度将添加，使电流愈加布满，这种恶性循环构成热不安稳性。假定有些区域所发作的热量不能及时宣告，将使电流上升失掉操控。一旦温度抵达资料熔点，便构成耐久性损坏。
反向偏置时，温度添加是由雪崩击穿致使的。因为发作一次雪崩击穿往后，在某些点上因电流密度过大，改动了断电场散布，发作负阻效应，然后使有些温度过高的一种景象。
二次击穿终究是因为有些过热而致使，而抢手的构成需求能量的堆集，即需求必定的电压、电流和必定的时刻。因而，集电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、基极电路的装备以及资料、技能等要素都对二次击穿有必定的影响。