单级共射阻容耦合拓宽电路如图Z0227所示。在图Z0235中，Cie（Cbe）、Cc（Cbc）。别离标明晶体管的发射结和集电结的等效电容，通常为几pF～几百pF。
　　　　　　　　　　
　　　　　　　　
　　　　　　　
一、中频段
中频段拓宽电路的微变等效电路如图Z0228所示。输入耦合电容C1、输出耦合电容C2及射极旁路电容Ce因其容量较大，容抗较小，在中频段可视为短路；而输入、输出回路的散布电容Ci、Co及电容Cie 、Cc 容量较小，容抗较大，在中频段可视为开路。由此可得出中频段拓宽电路的电压拓宽倍数为：

它标明，在中频计划内，Au和φ均为常数，与频率无关。
二、低频段
在低频计划内，C1、C2 及Ce容抗增大，不能疏忽。Ci、Co及电容Cie 、Cc 的容抗很大仍可视为开路。此刻的微变等效电路如图 Z0229、Z0230、Z0231、Z0232所示。
由图可知，跟着频率的不断下降，C1、C2 及Ce 的容抗增大，使减小，减小，致使输出减小，然后使拓宽倍数下降。此外，频率越低，C1、C2 及Ce构成的附加相移越小，当f→0时，附加相移挨近 -90°。
在有用电路中，常挑选C1＝C2（5～20）μF，Ce ＝（50～200）μF，根柢上可满意通常低频拓宽电路对下限频率的央求，消除低频时的失真。
三、高频段
拓宽电路在高频段时也怅惘助h参数微变等效电路来剖析，其徽变等效电路如图Z0233、Z0234所示。C1、C2 及Ce的容抗较小均可视为短路，而Ci、Co及电容Cie、Ce的容抗也较小，其分流效果不行疏忽。且这种影响跟着频率的增高愈加显着。一同，它们致使的附加相移也跟着频率的增高而增大，当f → ∞时，附加相移挨近 - 270°。
单级阻容耦合拓宽电路总的频率特性曲线如图Z0236所示。
因为功率与电压的平方成正比，所以在工程核算上规矩，电压拓宽倍数的幅值下降到中频幅值Auo的0.707倍时所对应的频率称为半功率点频率（电压拓宽倍数下降到Auo 的0.707 倍时，恰当于功率卞降一半。在幅频特性曲线上，低频端和高频端各有一个半功率点，其相应的半功率点频率称为下限频率fL和上限频率fH 。半功率点的电压拓宽倍数

用分贝标明
可见，半功率点的电压拓宽倍数比中频段 的电压拓宽倍数Auo衰减了3dB。咱们界说fH与fL之间的频率计划为拓宽电路的通频带并以B标明，即
B = f H－ f L GS0232
在通频带内，因为输出功率的削减不会跨过中频区的一半，附加相移不跨过45°，因而人耳感触不到显着改动，这么就能够以为在通频带B内拓宽电路根柢上没有频率失真。
通频带内的区域称为中频区；频率低于下限频率 f L 的频域称为低频区，频率高于上限频率f H 的频域叫高频区。
在剖析拓宽电路的频率特性时，为了在有限的数轴上，描写较大计划的频率改动对拓宽倍数的影响，通常选用对数频率特性曲线。这时横轴选用lgf，纵轴选用分贝，即201g | Au |（幅频特性），或φ的数值（相频特性）。对数频率特性又名波特图。
拓宽倍数用分贝标明的利益是：可防止拓宽倍数的无量数字并能够把拓宽倍数的乘法运算简化为加法运算；对数的单位比照契合听觉器官对动态感触的特性；便于制作频率特性的对数坐标图。

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